檢索結果:共4筆資料 檢索策略: "黃柏仁".ccommittee (精準) and year="110"
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本研究利用反應式濺鍍沉積摻鈷類鑽碳(Co-DLC) 薄膜,並將Co-DLC薄膜在350℃進行大氣退火30-90分鐘,得到Co、CoO、Co3O4和DLC組成之CoOx-DLC薄膜,藉由SEM、RAM…
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氮化鎵具備優異的電性表現已成為第三代寬能隙半導體熱門材料,由AlGaN/GaN異質結構形成之高電子遷移率電晶體已廣泛運用在手機快充與電動車電控系統。本實驗將針對氮化鎵成長在藍寶石基板上,面臨的兩大瓶…
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二維 (2D) 過渡金屬二硫屬化物 (TMDs) 已成為下一代納米電子學的有希望的候選者。然而,二維TMDs材料的大面積、高質量和優異穩定性的生長仍然是一個很大的挑戰。在這項工作中,我們提出了一種單…
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圖案化藍寶石基板(patterned sapphire substrate, PSS)具有降低氮化鎵磊晶薄膜貫穿型差排缺陷密度之效用,然而無圖案區域差排缺陷密度仍高。本研究在圖案化藍寶石基板上嵌入石…